ハイパワー応用デバイスシミュレータ　Advance/TCAD

当社では強安定収束を特長とするデバイスシミュレータを開発し、販売を行っております。
パワー応用ワイドギャップ半導体デバイス設計を支援するデバイスシミュレータを紹介いたします。

一般的には難しいとされている1eV以上のギャップ差のケースに対して、アドバンスソフト独自の数値解法により、安定的に頑強に収束します。例えば、6.2eVと3.4eVというガリウムナイトライド系のワイドギャップ半導体等のケースでも、通常のSi MOSFETのケースと同様の収束性を示します。

解析上、安定性と頑強性が必要な1次元の解析で、その特長を示しました。高電圧およびアバランシェで確認しました。

これまで、ワイドギャップ半導体で数千ボルトの電圧までの解析は困難でした。または、計算できても、安定的に解析ができなかったというのが現状です。ハイパワーSiCを対象とした数千ボルトの電圧まで、アドバンスソフト独自の数値解法により安定的に頑強に収束します。
ハイパワーSiCデバイスを対象としても、他のケースと同等の収束性および頑強性を示します。
これは、ハイパワーSiCダイオードのアバランシェブレークダウンを含む解析においても同様の解析安定性と頑強性を示します。
数値解析上の工夫により、フローティングの計算が可能です。

n基板に2個所の高濃度p領域があり1個所は電極があり、他方には電極を設けていない。
なお、Si-SiO₂境界には界面準位を設定している。
特長：高電圧へ適用可能

SiHetero/Compオプションで利用可能となる機能：