| ファイル名 | アクション |
| doi_semminar_20150630_08.pdf |  |
| 開催日 | 2015年6月30日 |
| タイトル | Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介【SiとSiCのパワーデバイスの解析事例】 |
| 言語 | 日本語 |
| 著者 | アドバンスソフト株式会社 |
| 要約 | ・プロセスシミュレータによる構造作成 ・変換ツールによるプロセスデバイス間接続 ・デバイスシミュレーションによる解析事例紹介 【解析事例】 [1] Si-IGBT [2] SiC縦型パワーMOSFET |
| DOI | 10.69290/s.000779 |
| キーワード | |
| ページ数 | 12 |