| ファイル名 | アクション |
| simlib_magazine_797.pdf |  |
| 発行年月 | 2015年9月14日 |
| タイトル | デバイスシミュレーション |
| 言語 | 日本語 |
| 著者① | 山口 憲 |
| 著者② | 原田 昌紀 桑原 匠史 大倉 康幸 |
| 著者所属① | アドバンスソフト株式会社 総合企画部 |
| 著者所属② | アドバンスソフト株式会社 第 1 事業部 |
| 要約 | デバイスシミュレーション技術は半導体デバイス開発と並行して発展してきた。1960 年代に発表されたガンダイオードの発振現象解析[1]、バイポーラトランジスターの 1 次元解析[2]にその起源を見ることができる。1970 年代に入ると、Si LSI の幕開けと共に 2 次元デバイス解析技術[3] - [5]が登場、設計現場に浸透してきた。これらの文献はキャリアを連続流体とみなす『流体モデル』と呼ばれるもので、次節で詳述する Boltzamnn 方程式に基付く定式化である。一方、電場の中の電子の移動を荷電粒子の運動として表現するモンテカルロ法モデリング[6]は電子の運動を詳細に解析できることから物理研究に威力を発揮した。ただし、計算時間を長く必要とするため、実用面からは流体モデルが主流となっている。本章では、流体モデルに基礎をおくデバイスシミュレーション技術を中心に述べる。Boltzmann 方程式は輸送問題における第一原理式といえるものである。これを基礎にデバイスシミュレーションのための定式化を述べる。 |
| 書誌情報 | アドバンスシミュレーション 2015.9 Vol.21 |
| DOI | 10.69290/j.000797-vol21 |
| キーワード | CMOS、インバータ、一括解析、過渡解析、デバイスシミュレーション、パワーデバイス、ショットキー、バイアス粗密調整、高耐圧計算 |
| ページ数 | 31 |