| ファイル名 | アクション |
| doi_semminar_20150630_05.pdf |  |
| 開催日 | 2015年6月30日 |
| タイトル | Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介【プロセスシミュレータの概要と特徴】 |
| 言語 | 日本語 |
| 著者 | アドバンスソフト株式会社 |
| 要約 | ○理論枠組み ○機能概要 ・設定可能関連項目 ・プロセスシミュレータ共通出力ファイルへの出力内容 ・1次元不純物分布データ ○実験値との比較 (4H-SiC) ○3次元構造へのイオン注入 ・正方孔 (Si) ・六角トレンチ (Si) ・MOS Extension (Si, 4H-SiC) ○並列計算 |
| DOI | 10.69290/s.000777 |
| キーワード | |
| ページ数 | 12 |