当社の 半導体デバイス 3 次元 TCAD システム Advance/TCAD のユーザー様、群馬大学大学院 理工学府 電子情報部門 助教の桑名先生が、Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。
- Anna Kuwana, Jun-Ichi Matsuda and Haruo Kobayashi, "Analysis of Switching Characteristics of Wide SOA and High Reliability 100 VN-LDMOS Transistor with Dual RESURF and Grounded Field Plate Structure", 2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON).[Abstract ]