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計算科学技術におけるリーディングカンパニー

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ユーザー様が Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

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ユニサンティスエレクトロニクスの作井康司博士と原田望博士が、半導体デバイス 3 次元 TCAD システム Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

  1. Koji Sakui,Nozomu Harada, "Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding
    Gate Transistor (SGT) for Computation In Memory", 2021 International Conference
    on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021), September 6-9.
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弊社主催のアドバンス・シミュレーション・セミナー 2021 が「蔵前ベンチャー相談室」にて紹介されました。
2021年9月24日
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社内行事による休業のお知らせ 2021年10月25日(月)
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