レアメタルの1つであるインジウムの使用量を節減する方法の1つとして、化合物半導体の結晶作成過程の最適化を図る、という方法が考えられます。 これは、実験を行う以外に、原子スケールのシミュレーションを行う事でも達成可能です。その方法としては、(1) 第一原理計算、(2) 分子動力学法、(3) 動的モンテカルロ法、の3つがありますが、前2者には、カバーできる時間スケールがナノ秒程度という、非常に厳しい限界が存在します。これに対して動的モンテカルロ法には、数桁異なる時間スケールの現象をカバーできるという利点がある一方で、原子が格子点の位置に限定されているために、格子不整合のある物質に応用できないという短所がありました。この欠点をカバーできる、化合物半導体結晶の作成過程の最適化法をご提案いたします。(PDF:2,427KB)

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