アドバンスシミュレーション Vol.21, 大倉 康幸, 岡本 稔, 清水 守, 島田 昭男, 袁 熙, 小池 秀耀,  Advance/TCADプロセスシミュレータには、不純物拡散、イオン注入、堆積/エッチング、酸化の機能があります。この報告では、各プロセスの物理モデルおよびアルゴリズムについて解説します。本シミュレータは、新たに考案した幾何学的な計算モデルを考案したこと、シリコンカーバイド(SiC)対応を含めた3次元イオン注入を実装したことに特徴があります。(PDF:1,477kB)

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