| ファイル名 | アクション |
| simlib_magazine_914.pdf |  |
| 発行年月 | 2018年7月24日 |
| タイトル | SRAMソフトエラーの3次元デバイスシミュレーション |
| 言語 | 日本語 |
| 著者 | 原田 昌紀 |
| 著者所属 | アドバンスソフト株式会社 第 1 事業部 |
| 要約 | 半導体デバイスの微細化が進むにつれ、デバイスが高速化し、記憶容量が増大していく反面、α線などの高エネルギー粒子によるメモリデバイスのソフトエラーが発生しやすくなる。特に SRAM ではその傾向が顕著である。今回、アドバンスソフト社製 Advance/TCAD デバイスシミュレータを使用し、SRAMソフトエラーの 3 次元デバイスシミュレーションを実施し、ソフトエラーの入射エネルギー依存性およびデバイスサイズ依存性を解析した。本稿では、解析内容を紹介するとともに、Advance/TCAD を SRAM開発における設計補助ツールとして提案する。 |
| 書誌情報 | アドバンスシミュレーション 2018.07 Vol.26 |
| DOI | 10.69290/j.000914-vol26 |
| キーワード | TCAD、デバイスシミュレーション、メモリ、SRAM、ソフトエラー |
| ページ数 | 8 |