| ファイル名 | アクション |
| simlib_magazine_860.pdf |  |
| 発行年月 | 2016年12月6日 |
| タイトル | 大規模3次元TCADシステムAdvance/TCAD |
| 言語 | 日本語 |
| 著者① | 山口 憲 |
| 著者所属① | アドバンスソフト株式会社 総合企画部 |
| 著者② | 原田 昌紀 大倉 康幸 桑原 匠史 萩原 敦 島田 昭男 徳屋 純一 |
| 著者所属② | アドバンスソフト株式会社 第 1 事業部 |
| 著者③ | 小池 秀耀 |
| 著者所属③ | アドバンスソフト株式会社 代表取締役会長 |
| 要約 | Advance/TCAD は超微細半導体デバイスからパワーデバイスまでの解析において、複数デバイスの一体解析（セルレベルシミュレーション）やデバイス・外部回路（LCR）一体解析（Advanced mixed-modes）等の高度な機能と使いやすい GUI を備えた 3 次元 TCAD システムである。 |
| 書誌情報 | アドバンスシミュレーション 2016.12 Vol.23 |
| DOI | 10.69290/j.000860-vol23 |
| キーワード | 半導体、プロセスシミュレータ、デバイスシシミュレータ、3 次元、不純物拡散、非平衡反応拡散モデル、イオン注入、モンテカルロ法、堆積／エッチング、距離関数法、酸化、CMOS、インバータ、強連成、一括解析、過渡解析、パワーデバイス、SiC、GaN、ショットキー、バイアス粗密調整、高耐圧計算 |
| ページ数 | 27 |