| ファイル名 | アクション |
| simlib_magazine_796.pdf |  |
| 発行年月 | 2015年9月14日 |
| タイトル | プロセスシミュレータ |
| 言語 | 日本語 |
| 著者① | 大倉 康幸 岡本 稔 島田 昭男 袁 熙 |
| 著者② | 清水 守 |
| 著者③ | 小池 秀耀 |
| 著者所属① | アドバンスソフト株式会社 第 1 事業部 |
| 著者所属② | アドバンスソフト株式会社 第 2 事業部 |
| 著者所属③ | アドバンスソフト株式会社 代表取締役会長 |
| 要約 | Advance/TCAD プロセスシミュレータには、不純物拡散、イオン注入、堆積／エッチング、酸化の機能がある。この報告では、各プロセスの物理モデルおよびアルゴリズムについて解説する。本シミュレータは、新たに考案した幾何学的な計算モデルを考案したこと、シリコンカーバイド(SiC)対応を含めた3 次元イオン注入を実装したことに特徴がある。 |
| 書誌情報 | アドバンスシミュレーション 2015.9 Vol.21 |
| DOI | 10.69290/j.000796-vol21 |
| キーワード | 半導体、プロセスシミュレータ、3 次元計算、不純物拡散、非平衡反応拡散モデル、イオン注入、モンテカルロ法、4H-SiC 基板、堆積／エッチング、距離関数法モデル、酸化 |
| ページ数 | 24 |