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ユーザー様が Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

当社の 半導体デバイス3次元TCADシステム Advance/TCAD のユーザー様、明治大学  教授 堤 利幸 様が、 Advance/TCAD を用いた研究成果 を発表されました。

  1. Toshiyuki Tsutsumi and Jaeyup Lee, "Study of threshold voltage fluctuation caused by source and drain extensions doping variation of tri-gate fin-type FET using three-dimensional device simulation", 2014 Japanese Journal of Applied Physics, 53, 06JE06. [Abstract]
  2. Toshiyuki Tsutsumi, "Three-dimensional exploration of the origin of threshold voltage fluctuation of silicon-on-insulator triple-gate fin-type field-effect transistors caused by ion implantation to source and drain extensions", 2019 Japanese Journal of Applied Physics 58, SDDE06. [Abstract]
  3. Toshiyuki Tsutsumi, "Dependence of three-dimensional bottleneck barrier height minimum on threshold voltage fluctuated by ion implantation of source and drain extensions in silicon-on-insulator triple-gate fin-type field-effect transistors", 2020 Japanese Journal of Applied Physics 59, SIIE06. [Abstract]