トップページ > イベントトピックス >ユーザー様が Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

ユーザー様が Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

ユニサンティスエレクトロニクスの作井康司博士と原田望博士が、半導体デバイス 3 次元 TCAD システム Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。

  1. Koji Sakui,Nozomu Harada, "Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT)", 2021 IEEE International Memory Workshop (IMW).[Abstract ]