トップページ > サポート > 資料ダウンロード > シミュレーション図書館 パッケージソフトウェア 半導体 > 【半導体】Advance/TCAD> セミナー資料(Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介)20150630_08【SiとSiCのパワーデバイスの解析事例】

資料ダウンロード > シミュレーション図書館 パッケージソフトウェア 半導体

| ログイン | ログアウト | 新規メンバー登録

ダウンロード申込(初回のみ):アドバンス/シミュレーションフォーラム会員登録が必要です

【半導体】Advance/TCAD> セミナー資料(Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介)20150630_08【SiとSiCのパワーデバイスの解析事例】

・プロセスシミュレータによる構造作成
・変換ツールによるプロセスデバイス間接続
・デバイスシミュレーションによる解析事例紹介

【解析事例】
[1] Si-IGBT
[2] SiC縦型パワーMOSFET (PDF:1,049kB)

ダウンロードする