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【半導体】Advance/TCAD> セミナー資料(Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介)20150630_05【イオン注入計算(Si、SiC)】

○理論枠組み
○機能概要
  ・設定可能関連項目
  ・プロセスシミュレータ共通出力ファイルへの出力内容
  ・1次元不純物分布データ
○実験値との比較 (4H-SiC)
○3次元構造へのイオン注入
  ・正方孔 (Si)
   ・六角トレンチ (Si)
  ・MOS Extension (Si, 4H-SiC)
○並列計算 (PDF:1,985kB)

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