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【半導体】Advance/TCAD> セミナー資料(Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介)20150630_04【プロセスシミュレータの概要と特徴】

Advance/TCADのプロセスシミュレータは、
・デバイスの形状を計算します
 堆積/エッチング、酸化
・デバイス中の不純物分布を計算します
 イオン注入、不純物拡散
・形状が変化したとき及び熱工程に伴う応力
を計算するという機能を持ちます。

この報告では、
・堆積/エッチング(3次元形状モデル)
・不純物拡散(拡散モデル)
・酸化及び応力(3次元酸化モデル)
について報告します。

・イオン注入計算
・入出力GUI(統合プラットフォーム)
・拡散計算の並列化
は別に報告します。 (PDF:1,709kB)

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