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【半導体】Advance/TCAD> セミナー資料(Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介)20150630_02【デバイスシミュレータの概要と特徴】

1. TCADシステム構成とデバイスシミュレータの位置付け
2. ボルツマン方程式からバリスティック輸送モデルの生成
3. DDモデル(輸送係数、生成・再結合過程のモデル化)
4. ワイドギャップ半導体特有の課題
 浮遊電位問題と二準位モデルの提案
5. 複数デバイス一括解析機能(大規模・高速化)
6. 量子効果について
 まとめ (PDF:946kB)

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