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独立行政法人 科学技術振興機構(JST) 産学共同シーズイノベーション化事業 「MOS 反転層内量子化された電子の弾道(バリスティック)輸送の研究」

委託者

独立行政法人 科学技術振興機構 (JST)

事業名

産学共同シーズイノベーション化事業 顕在化ステージ
http://www.jst.go.jp/innovate/

プロジェクト名

「MOS 反転層内量子化された電子の弾道(バリスティック)輸送の研究」

共同研究者

研究リーダー: 明治大学 冨澤一隆 教授

実施時期

平成20年10月開始~平成21年8月まで

プロジェクト概要

LSIの基本的構成要素であるMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET)は微細化が進み、チャネル長は数十ナノメートルに達しています。ナノメートルの空間を移動する電子は、陰極から陽極に達するまでの散乱回数が極端に減少し、いわゆるバリスティック輸送が発生します。これにより性能向上が期待されますが、MOS反転層内では(1)電子輸送とは垂直な方向にあるゲート閉じ込め電界強度が非常に高く、電子は反転層内で量子化され擬2次元ガス状態になること、同時に、(2)基板不純物からも散乱を受けるため、高精度な輸送モデルを立てることがこれまで困難でした。本プロジェクトでは明治大学と共同で高精度・高速処理可能なモデルの構築を目指します。

MOS 反転層内量子化された電子の弾道(バリスティック)輸送の研究
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