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3次元デバイスシミュレータ Advance/DESSERT

Advance/DESSERTロゴ

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トピックス


軽くて丈夫な3次元デバイスシミュレータ「Advance/DESSERT」の販売・サポート・カスタマイズ・受託解析を通じて、お客さまの抱える問題を解決いたします。

半導体デバイスの性能評価ツールとして、デバイスシミュレータはデバイス開発者にとっていまや欠かせない存在となっております。現在広く流通しているデバイスシミュレータは、主に欧米のソフトウェアベンダーによるものですが、手軽・廉価に使える国産のシミュレータは数少ないのが現状でした。

そこで弊社では、シミュレーションを駆使した半導体デバイスの解析・評価・設計に長年携わって来た実務経験者を開発リーダーとし、ソフト開発のプロがプログラムの設計・製造を担当して多種多様なデバイス構造に対応可能なシミュレータを開発しました。

軽くて丈夫な実用的3次元デバイスシミュレータを目指し、Advance/DESSERTという愛称名のパッケージソフトを廉価に提供いたします。

Advance/DESSERT

Advance/DESSERT (Device Engineering Support System; Exciting Research Tools) とは

ボルツマン輸送方程式に基付く定式化をベースに、弊社が独自に開発している実用的3次元デバイスシミュレータです。ユーザフレンドリー3次元容易入力機能と豊富な物理モデルを内蔵し、ビギナーからプロフェショナルの要請に応えられる高精度のデバイス特性シミュレータです。

これまで3次元デバイス解析では、形状生成・メッシュ作成に伴う手間とシミュレーションの計算時間の長さが、それを行う半導体デバイス開発者の方にとって大きな負担となってきました。

Advance/DESSERTは、豊富な物理モデルのみならず3次元形状を容易に生成する構造構築機能と自動メッシング機能、並びに、最適メッシュに基づく高速計算・安定収束を実現しており、半導体デバイス開発者の方が手軽に利用できるソフトウェアになっております。

特徴

  • 3次元高速解析
  • 物理モデルの充実
  • マスク利用による立体構造を容易に作成
  • フレキシブルな3次元最適メッシュ生成機能
  • 不純物のバラツキの信頼性解析

物理モデル

  • 再結合モデル ・・・ SRH、オージェ、深い準位、界面準位
  • キャリア生成モデル ・・・ 衝突電離・雪崩増倍、GIDLモデル
  • 電界依存移動度モデル
  • 量子効果補正

適用分野

MOSFET, SOI-MOSFET, FinFET, poly-Si TFT, MESFET など

スクリーンショット

※図をクリックすると拡大表示します。

  • 使い勝手にこだわった3Dモデリング
    使い勝手にこだわった3Dモデリング
  • リアルタイムDoping設定
    リアルタイムDoping設定
  • リアルタイムで粗いメッシュ生成機能
    リアルタイムで粗いメッシュ生成機能
  • ポスト処理機能(コンター、ベクター、XYプロット等)
    使い勝手ポスト処理機能
  • オンラインヘルプ機能
    自由にカスタマイズ可能な画像ベースオンラインヘルプ機能

担当者からのお知らせ

  • お客さまのベンチマークテストは随時ご相談に応じます。
  • お客さまのニーズに合わせたカスタマイズ(物理モデルなど)は有償にて承ります。

GPUによる高速化

GPUで高速化された部分のみの計測ではなく、アプリケーション全体の処理時間で評価し、数倍の性能を達成しました。

3次元デバイスシミュレータ Advance/DESSERTにおけるGPUのベンチマーク結果

開発者紹介

当社の半導体デバイスシミュレータAdvance/DESSERT開発の中心的な役割を果たした山口憲を紹介します。

山口憲は、株式会社日立製作所中央研究所ならびに基礎研究所で半導体デバイスシミュレーション技術の研究に従事してきた経歴を持つ者です。長年にわたる学会や大学での研究活動実績のみならず、デバイスシミュレーションを実際の半導体設計への活用することにも豊富な経験があります。

現在は当社で半導体デバイスシミュレータAdvance/DESSERTの開発責任者として、若手の技術指導も行っています。詳細な経歴と学会および社会における活動については下記をご参照ください。

技術者紹介 山口 憲

先端的な取り組み

独立行政法人 科学技術振興機構、平成20年度産学協同シーズイノベーション化事業・顕在化ステージに課題名『MOS反転層内量子化された電子の弾道(バリスティック)輸送の研究』 にて明治大学と共同応募、採択されました。

大学側がもつシーズ研究を基に、MOS反転層内擬2次元電子ガスの準バリスティック輸送モデルの高精度かつ高速計算処理の可能性確認実験を行いました。MOSFETを対象として、設計ツールとしての妥当性、有効性を明らかにすることができました。研究成果はJapan. J. Appl. Phys. vol. 49, (2010) 024303 に掲載されました。

Japan. J. Appl. Phys. vol. 49, (2010) 024303

既に開発しているデバイスシミュレータをベースに大規模・高速化を図ることで、複数デバイスから構成される回路レベルでの性能評価技術の確立を目指したいと考えています。

ここでは十個レベルから数十個、最終的には100トランジスタレベルを目指し、実用的回路機能レベルでの高信頼度設計技術(ツール)の提供を図って行きたいと思います。


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