【CD-ROM】　第一原理シミュレータ PHASE 計算事例集

編著者 甲賀淳一朗　山崎才弘　山本武範　宇佐見護 濱田智之　山崎隆浩　岡本政邦　宇田毅 定価 ￥1,050　（税込） 形態 CD-ROM 発行日 2005.10 ISBN ISBN 4-9902143-5-8

• 「戦略的基盤ソフトウェアの開発」プロジェクトの成果、第一原理シミュレータPHASE（市販版としては、アドバンスソフトが、Advance/PHASEとして販売サポートを提供中。）による解析事例を収録した事例集です。

目次

• 1. はじめに
• 2. C(ダイヤモンド) の結晶構造
• 3. Si の結晶構造
• 4. Si, C の状態密度とバンド構造
• 5. Mg(マグネシウム) の結晶構造
• 6. Mg の状態密度とバンド構造
• 7. TiO2(ルチール型) の結晶構造
• 8. TiO2(ルチール型) の状態密度とバンド構造
• 9. TiO2(アナターゼ型) の結晶構造
• 10. TiO2(アナターゼ型) の状態密度とバンド構造
• 11. Fe(強磁性) の結晶構造
• 12. Fe の状態密度とバンド構造
• 13. Fe の磁性による全エネルギーの体積依存
• 14. Cr(クロム) の磁性による全エネルギー
• 15. Cr(反強磁性) のスピン分極密度
• 16. 分子動力学による Si の格子振動
• 17. ストレス・テンソルの利用 I
• 18. ストレス・テンソルの利用 II
• 19. Si の仕事関数
• 20. Na の仕事関数
• 21. TaN の仕事関数
• 22. Si(001) 表面のダイマー構造
• 23. Si(111) 表面の (2x1) 構造の形成過程
• 24. Si(111) 表面の (2x1) 構造の形成過程(動画デモ)
• 25. Si/SiO2 界面における Pb0 センタ
• 26. Si(001):p(2x2) 表面の STM 像
• 27. Si の誘電関数(電子系)
• 28. Au の誘電率の虚部と反射率
• 29. Ag の誘電率の虚部と反射率
• 30. Cu の誘電率の虚部と反射率
• 31. 格子誘電率の計算手順
• 32. 酸化シリコンのボルン有効電荷
• 33. 酸化シリコンの基準振動例と誘電率
• 34. 高誘電率材料 CeO2 の結晶構造
• 35. セリウム酸化物の誘電率
• 36. 窒化アルミニウム(AlN)のピエゾ定数
• 37. Ga30V2N32(ウルツアイト) の構造
• 38. Ga30V2N32 のスピン分極密度
• 39. 触媒反応の例
• 40. H2 分子の一方の H を on-top に固定、他方の H を緩和
• 41. H2 分子の一方の H を hollow に固定、他方の H を緩和
• 42. bridge に吸着した H を固定、hollow の H を緩和
• 43. Pt(100) 面上の H2 分子の解離吸着のまとめ
• 44. H2O 分子の振動数
• 著者略歴