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【CD-ROM】 第一原理シミュレータ PHASE 計算事例集

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第一原理シミュレータ PHASE 計算事例集
編著者 甲賀淳一朗 山崎才弘 山本武範 宇佐見護
濱田智之 山崎隆浩 岡本政邦 宇田毅
定価 ¥1,080 (税込)
形態 CD-ROM
発行日 2005.10
ISBN ISBN 4-9902143-5-8
  • 「戦略的基盤ソフトウェアの開発」プロジェクトの成果、第一原理シミュレータPHASE(市販版としては、アドバンスソフトが、Advance/PHASEとして販売サポートを提供中。)による解析事例を収録した事例集です。

目次

  • 1. はじめに
  • 2. C(ダイヤモンド) の結晶構造
  • 3. Si の結晶構造
  • 4. Si, C の状態密度とバンド構造
  • 5. Mg(マグネシウム) の結晶構造
  • 6. Mg の状態密度とバンド構造
  • 7. TiO2(ルチール型) の結晶構造
  • 8. TiO2(ルチール型) の状態密度とバンド構造
  • 9. TiO2(アナターゼ型) の結晶構造
  • 10. TiO2(アナターゼ型) の状態密度とバンド構造
  • 11. Fe(強磁性) の結晶構造
  • 12. Fe の状態密度とバンド構造
  • 13. Fe の磁性による全エネルギーの体積依存
  • 14. Cr(クロム) の磁性による全エネルギー
  • 15. Cr(反強磁性) のスピン分極密度
  • 16. 分子動力学による Si の格子振動
  • 17. ストレス・テンソルの利用 I
  • 18. ストレス・テンソルの利用 II
  • 19. Si の仕事関数
  • 20. Na の仕事関数
  • 21. TaN の仕事関数
  • 22. Si(001) 表面のダイマー構造
  • 23. Si(111) 表面の (2x1) 構造の形成過程
  • 24. Si(111) 表面の (2x1) 構造の形成過程(動画デモ)
  • 25. Si/SiO2 界面における Pb0 センタ
  • 26. Si(001):p(2x2) 表面の STM 像
  • 27. Si の誘電関数(電子系)
  • 28. Au の誘電率の虚部と反射率
  • 29. Ag の誘電率の虚部と反射率
  • 30. Cu の誘電率の虚部と反射率
  • 31. 格子誘電率の計算手順
  • 32. 酸化シリコンのボルン有効電荷
  • 33. 酸化シリコンの基準振動例と誘電率
  • 34. 高誘電率材料 CeO2 の結晶構造
  • 35. セリウム酸化物の誘電率
  • 36. 窒化アルミニウム(AlN)のピエゾ定数
  • 37. Ga30V2N32(ウルツアイト) の構造
  • 38. Ga30V2N32 のスピン分極密度
  • 39. 触媒反応の例
  • 40. H2 分子の一方の H を on-top に固定、他方の H を緩和
  • 41. H2 分子の一方の H を hollow に固定、他方の H を緩和
  • 42. bridge に吸着した H を固定、hollow の H を緩和
  • 43. Pt(100) 面上の H2 分子の解離吸着のまとめ
  • 44. H2O 分子の振動数
  • 著者略歴
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