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宇田　毅　Tsuyoshi UDA

宇田　毅 アドバンスソフト株式会社
取締役

〒107-0052
東京都港区赤坂１丁目9番20号
第16興和ビル南館7階
アドバンスソフト株式会社　本社

学位

理学博士

略歴

1967年3月　東京大学理学部物理学科卒業
1972年3月　東京大学理学系大学院博士課程卒業
1972年4月　中央大学理工学部、日本大学文理学部非常勤講師
1973年4月　日立製作所中央研究所研究員
1983年8月　中央研究所主任研究員
1985年3月　基礎研究所主任研究員
1993年11月 アトムテクノロジー研究体 理論グループ・リーダー
2002年3月　日立製作所基礎研究所主任研究員
2004年4月　アドバンスソフト株式会社

学会および社会における活動

1977年　日本物理学会世話人
1985年　JJAP編集委員

メッセージ

ガラスは無色透明で光を通すのに、金属はなぜ光を通さず電気を流すのだろうか。こんな素朴な疑問に端を発して、材料シミュレーションの世界に飛び込むことになりました。当時は現象の理解や説明に限られていましたが、とどまる所を知らないコンピューターの進歩により、最近では材料特性の予測や設計も可能になってきました。

説明から予測へ、この質的進化が材料シミュレーションの活躍の場を広げています。触媒材料、電池材料、水素貯蔵材料などのシミュレーションによる開発に意欲を燃やしています。

書籍


計算物理
  1. T. Uda et al., ed. K. Hamakawa, "Japan Annual Reviews in Electronics, Computers & Telecommunications.22, Amorphous Semiconductor Technology & Devices ", Ohmsha and North-Holland (1987).
  2. 宇田 毅 他, 山本良一, 田中實 編, "計算物理学と計算化学", 海文堂(1988)．
  3. 宇田 毅 他, 山本良一 編, "シリコン・テクノロジーI", 海文堂(1991)．
  4. T. Uda et al., eds. A. Okiji et al., "Elementary Processes in Excitations and Reactions on Solid Surfaces", Springer-Verlag (1996).
  5. 宇田 毅 他, 田中一宜, 市川昌和 編著, "ナノテクノロジーの最前線：アトムテクノロジーへの挑戦 1", 日経BP社 (2001).
  6. S.H. Ke and T. Uda, , eds., S. Morita, R. Wiesendanger and E. Meyer ."Noncontact Atomic Force Microscopy", Springer-Verlag (2002).

業務・研究経歴

  1. 非晶質カルコゲナイドを用いた撮像管の開発
  2. 第一原理計算による非晶質の原子構造の研究
  3. 第一原理計算による半導体表面構造の研究

発表論文


計算物理・半導体表面
  1. T. Uda, "Optical Properties of Graphite in the Far-Infrared Region", J. Phys. Soc. Japan 28, 946 (1970).
  2. T. Uda, H. Ushio and Y. Uemura, "Theory of Cycrotron Resonance in Graphite I. Determination of the Degree of Band Warping", J. Phys. Soc. Japan 33, 1551 (1972).
  3. T. Uda, H. Ushio and Y. Uemura, "Theory of Cycrotron Resonance in Graphite II. The effect of Spatial Dispersion", J. Phys. Soc. Japan 36, 653 (1974).
  4. T. Uda and E. Yamada,. "Doping Effect in Chalcogenide Glasses", J. Phys. Soc. Japan 46, 515 (1979).
  5. T. Uda and E. Yamada, "Theory of Trap Controlled Transient Photoconduction in Chalcogenide Glasses", J. Non-Cryst. Solids 35, 105 (1980).
  6. Y. Takasaki, T. Uda and E. Yamada, "Gap States in Doped Amorphous Selenium", J. Phys. Soc. Japan 49 (1980) Suppl. A1159.
  7. T. Uda and T. Motooka, "Electronic and Optical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon" J. Non-Crys. Solids 59, 81 (1983).
  8. T. Uda, "Atomic Structure of Amorphous Silicon", Solid State Commu. 64, 837 (1987).
  9. S. Ihara, S.H. Ho, T. Uda and M. Hirao, "Ab Initio Molecular Dynamics Study of Defects on the Reconstructed Si(001) Surface", Phys. Rev. Lett. 65, 1909 (1990).
  10. T. Uda and M. Hirao, "Electronic and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Clusters", J. Phys. Soc. Japan 63 (1994), Suppl. B97.
  11. T. Uda and K. Terakura, "Structure model for the type C defect on the Si(001) Surface", Phys. Rev. B 53, 6999 (1996).
  12. T. Uda, "Electronic and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Clusters", Surf. Rev. Lett. 3, 127 (1996).
  13. T. Yamasaki, T. Uda and K. Terakura, "Initial Process of Si Homoepitaxial Growth on Si(001)", Phys. Rev. Lett. 16, 2949 (1996).
  14. K. Kato, T. Uda and K. Terakura, "Backbond oxidation of Si(001) Surface: Narrow Channel of Barrierless Oxidation", Phys. Rev. Lett. 80, 2000 (1998).
  15. M. Okamoto, T. Yokoyama, T. Uda and K. Takayanagi, "Strain effects of missing dimer defects on dimer buckling of the Si(100) surface", Phys. Rev. B 62, 12927 (2000).
  16. K. Kato and T. Uda, "Chemisorption of a single oxygen molecule on the Si(001) surface: Initial oxidation mechanism", Phys. Rev. B 62, 15978 (2000).
  17. T. Yamasaki, C. Kaneta, T. Uda and K. Terakura, "Geometric and electronic structure of SiO2/Si(001) interfaces", Phys. Rev. B 63, 115314 (2001).
  18. S. H. Ke, T. Uda, I. Stich and K. Terakura, "First-principles simulation of atomic force microscopy image formation on a GaAs(110) surface: Effect of tip morphology", Phys. Rev. B 63, 235323 (2001).
  19. M. Okamoto, T. Uda and K. Takayanagi, "Quantum conductance of helical nanowires", Phys. Rev. B 64, 033303 (2001).
  20. T. Yamasaki, K. Kato and T. Uda, "Oxidation of the Si(001) Surface: Lateral Growth and Formation of Pb0 Centers", Phys. Rev. Lett. 91, 146102 (2003).